高通宣布驍龍835處理器：采用三星10nm工藝，支持QC4.0快充

11月17日音訊，高通剛剛發(fā)布了下一代驍龍?zhí)幚砥?mdash;—驍龍835，高通驍龍835芯片將在2017年頭發(fā)布，因而支撐最新的Quick Charge 4.0快速充電技能，根據(jù)三星10nm制作工藝打造。高通驍龍835處理器將替代驍龍821/820，成為高通公司尖端移動處理器。

不過現(xiàn)在高通并未發(fā)布驍龍835的更多信息，但表明10nm工藝將會帶來更好的功能搶先，提高功率功率，作為對比高通驍龍820根據(jù)14nm制作工藝打造。

征引音訊，三星表明10nm工藝比較14nm將使得芯片速度快27%，功率提高40%，在高通驍龍835上詳細(xì)數(shù)值還需要后續(xù)才干知曉。但高通驍龍835芯片面積將變得更小是毋庸置疑的。

三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機(jī)設(shè)備，LG和htc也將推出搭載驍龍835的智能手機(jī)。